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可控硅整流電路采取過電壓保護的原因

作者: admin 時間:2018-06-08 來源:未知
摘要:在可控硅整流電路的溝通輸人端、直流輸出端及元件上。都接有RC吸收網絡或硒堆等過電壓保護,因為可控硅的耐受過電壓的能力較差。而在溝通側及直流側會經常發生一些過電壓,如...

在可控硅整流電路的溝通輸人端、直流輸出端及元件上。都接有RC吸收網絡或硒堆等過電壓保護,因為可控硅的耐受過電壓的能力較差。而在溝通側及直流側會經常發生一些過電壓,如電網操作過電壓、雷擊過電壓、直流側電感負載電流驟變時感應過電壓、熔斷器熔斷引起過電壓和可控硅換向時過電壓等,都有能夠致使元件損壞或性能下降。所以要采納過電壓保護措施。

 

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